Вчені з університету в Китаї встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши пристрій флеш-пам’яті, який може зберігати дані з неймовірною швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей пристрій, відомий як PoX, є енергонезалежним і набагато швидшим за найшвидші сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Дослідники використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та розвитку технології. Команда вчених зараз працює над перетворенням цього пристрою на комерційний продукт. Результати їх дослідження були опубліковані у журналі Nature.